第六百一十三章 四大巨头的价格战（4 / 7）

款光刻机做的。

    当然，只是初步满足等效三纳米工艺的需求，良率以及成本上还是有所不足。

    如果要更好，更快，更低成本的制造等效三纳米乃至二钠米等一系列EUV双重曝光工艺的芯片，那么就需要更新型，目前海湾科技那边刚完成原型机研制，还没有开始供货的HEUV-300D！

    这是一款套刻精度达到了惊人的1纳米的顶级EUV光刻机，专门为了EUV双重曝光工艺而研发。

    不出意外的话，这也将会是HEUV-300系列光刻机的终极产物……因为到这个阶段，光源波长已经没办法缩减了，单次曝光的金属间距被限制在了26纳米左右，用在单次曝光制造五纳米工艺就是极限了。

    要制造三纳米工艺的话，就需要进行双重曝光，这也是300D光刻机的主要技术进步特征，进一步缩小了套刻精度，使得双重曝光的良率更高，成本更低。

    然后到了二纳米工艺呢？一点五纳米工艺？一纳米工艺呢？

    现在的EUV光刻机可就不太好用了。

    怎么办？换个方向进一步缩小光刻机的极限金属间隔！

    光刻机里，影响光刻精度的参数有好几个，其他几种在DUV光刻机时代基本已经到极限了，EUV光刻机则是使用缩小波长的方式来获得技术进步。

    而现在EUV的光源波长技术路线也差不多玩到头后，剩下最后一个可以提升空间的就只有‘NA数值孔径’这么一个参数了。

    如HEUV-300系列光刻机里，数值孔径都是统一的0.33！

    现在海湾科技那边的下一代光刻机，就是打算在数值孔径上做文章，提升数值孔径，比如放大到0.55甚至更大，进而获得更小的金属间隔。

    实现单次曝光就制造十六纳米以下甚至更小的金属线宽！

    该计划也就是海湾科技里的HEUV-800光刻机，一种大数值孔径EUV光刻机。

    海湾科技的光刻机，其产品编号都是统一有规律的。

    i线光刻机，编号为HI-100系列……

    KRF光刻机，编号为HKRF-200系列

    DUV干式光刻机，编号为HDUV-400系列。

    DUV浸润式光刻机，支持双重曝光的则是为HDUV-500系列，而支持四重曝光的则是HDUV-600系列。

    EUV光刻机，因为当年徐申学一心奔着EUV光刻机去，立项非常早，因此比DUV光刻机还要更早一些，所以老早就拿到了HEUV-300的系列编号。

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