第210章 数据背后的警告（1 / 2）



庆祝持续了半小时，然后林辰拍手：“好了，高兴过了，该干正事了。陈总，详细报告分析开始。”

这才是工程师的本色——狂喜之后，立刻回归理性。

核心团队转移到会议室。投影仪打开，测试报告的每一页都被放大到屏幕上。

“先看良率分布图，”陈永仁操作着电脑，“%是整体良率，但要看分布均匀性。如果集中在某几个区域，说明工艺有问题；如果均匀分布，说明设计和工艺都稳定。”

屏幕上出现晶圆图——一个圆形的硅片，被划分成几百个小方格，每个方格代表一个芯片。绿色是通过，红色是失效。

一片绿色中夹杂着少量红点，分布均匀，没有明显的聚集区域。

“好，”黄文杰点头，“这说明工艺稳定性不错。红点分散，大概率是随机缺陷，不是系统性设计问题。”

“再看功能测试细节，”陈永仁翻页，“%的通过率，主要失效模式是什么？”

报告列出了失效模式统计：

· 时钟树失锁：%

· ADC通道失配超标：%

· 电源管理异常：%

· 存储器读写错误：%

· 其他：%

“存储器错误最多，”吴瀚皱眉，“但我们这次用的存储器架构是最保守的啊。”

“可能是工艺波动，”黄文杰分析，“中芯国际微米工艺的存储器单元，阈值电压控制可能不如台积电稳定。但%的比例可以接受，在筛选时可以剔除。”

“性能测试呢？”林辰问，“%达标，主要短板是什么？”

陈永仁翻到性能分析部分。报告用表格列出了各项性能指标：时钟频率、功耗、信噪比、线性度……大多数都达到或超过设计目标，只有一项标红：

低温性能（-40℃）：%样品达标

“低温性能不达标？”张文龙坐直了，“我们不是做了温度补偿吗？”

“做了，但可能补偿量不够，”陈永仁调出详细数据，“在-40℃环境下，晶体管的迁移率下降，阈值电压漂移，导致关键路径时序违规。仿真时我们用的是-25℃模型，实际-40℃更恶劣。”

会议室气氛凝重了些。虽然整体结果很好，但这个短板很致命——基站芯片要在全国范围部署，东北冬天零下三四十度很常见。如果芯片在低温下性能下降，设备可能无法正常工作。

“多少样品不达标？”何庭波问。

“%，”陈永仁看着数据，“也就是说，每三个芯片里就有一个在极寒环境下可能出问题。”

“能筛选吗？”

“可以，但需要增加低温测试环节，成本和时间都会增加。而且……”陈永仁顿了顿，“就算筛选出合格的，余量也不足。芯片会工作在临界状态，长期可靠性存疑。”

林辰站起来，走到白板前：“所以我们现在面临的情况是：整体成功，但有隐患。这个隐患如果不解决，芯片不敢大规模商用。但如果要解决，需要多少时间？”

所有人开始计算。

陈永仁先开口：“如果要重新设计温度补偿电路，优化低温性能，至少一个月。”

“流片验证又要一个月，”黄文杰补充，“而且中芯国际下次MPW档期在一个月后，错过就要等更久。”

“那就是两个月，”林辰看着日历，“今天12月19日，两个月后就是2月下旬。TI那边不会等我们，客户也不会等。”

“而且预算……”何庭波苦笑，“400万已经花光了。”

会议室又安静下来。窗外的阳光很好，深圳的冬天难得有这么明媚的天气，但房间里的人心里蒙上了一层阴影。 ↑返回顶部↑