第192章 当摩尔定律遇见山海经（1 / 2）



两天后，新竹工业技术研究院。

这里是台湾半导体技术的摇篮，台积电、联电的很多技术都源于此。

林辰以“大陆高校访问学者”的名义进来——蒋文渊老先生帮忙安排的。

黄总监的办公室在三楼，不大，堆满了书和论文。他六十岁左右，头发花白，穿着简单的夹克，正在白板上画晶体管结构图，下面坐着七八个学生。

“……所以，FinFET的栅极包裹三面，比平面结构控制能力更强。但问题来了，当特征尺寸降到5纳米以下，量子隧穿效应变得显着，漏电流怎么控制？”

学生们埋头记录。林辰悄悄坐在最后一排。

黄总监看到了他，点点头，继续讲课。讲了半小时，他放下马克笔：“今天先到这里。对了，这位是大陆来的林先生，对半导体工艺有兴趣。你们有什么问题，可以交流。”

学生们看向林辰，眼神好奇。一个戴眼镜的男生举手：“林先生，大陆的中芯国际现在做到多少纳米了？”

“微米量产，微米在导入。”林辰如实回答。

“落后我们两代啊，”另一个女生小声说。

黄总监皱眉：“技术有先后，但人才无高低。林先生，听说你在华为做芯片设计？”

“是的，主要是通信芯片。”

“通信芯片对工艺要求不高，微米够用了，”一个学生说，“为什么要追求先进工艺？”

这个问题有点挑衅。林辰笑了笑：“现在够用，未来呢？5G需要毫米波，需要大规模MIMO，芯片功耗和集成度都是挑战。而且，芯片设计不能只看眼前，要看五年后、十年后。”

他走到白板前，拿起笔：“黄老师刚才讲FinFET，我补充一点。我们在研究一种新的结构，暂时叫‘环栅纳米线’，gate-all-around，栅极包裹四面，理论上可以做到3纳米以下。”

学生们瞪大眼睛。黄总监也来了兴趣：“你们在实验室做出来了？”

“仿真阶段，但结果很好，”林辰画出结构，“用硅锗材料，载流子迁移率提升，同时量子隧穿效应减弱。这是我们的初步论文，请黄老师指教。”

他递上提前准备的论文复印件——不是华为的，是他以个人名义写的，避开了商业机密。

黄总监戴上老花镜，仔细阅读。办公室里安静得只剩下翻纸声。

十分钟后，他抬起头，眼神复杂：“这个思路……很大胆。但制造难度极高，需要原子级刻蚀精度。”

“所以需要工艺专家的支持，”林辰抓住机会，“黄老师，大陆正在筹建国家集成电路创新中心，计划投入千亿资金，攻克先进工艺。如果您有兴趣，可以以顾问形式参与。”

“我老了，不想折腾了。”

“但您的学生呢？”林辰看向那些年轻人，“台湾的半导体产业很发达，但市场有限。大陆有市场、有资金、有国家战略支持。这些学生如果留在这里，可能一辈子都在做工艺优化；如果去大陆，可以参与从材料到设备的全链条创新。”

学生们骚动起来。黄总监沉默。

林辰继续说：“我听说黄老师有个心愿，想看到中国人做出世界领先的半导体工艺。这个心愿，在台湾实现的可能性有多大？台积电很强大，但它是代工厂，技术路线受制于客户。而大陆，有机会建立自主的工艺体系。”

这话戳中了黄总监的心事。他叹了口气：“林先生，你知道我为什么要退休吗？”

“愿闻其详。”

“三年前，我主导一个先进工艺研发项目，到关键阶段，美国总部来了个三十岁的副总裁，说这个方向不符合公司战略，砍了，”黄总监苦笑，“我争取，他说：黄